Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=2.7 A, 3针, SOT-23, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 725-9341P
- 制造商零件编号:
- IRLML0060TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计 40 件 (按连续条带形式提供)*
RMB98.68
(不含税)
RMB111.52
(含税)
暂时缺货
- 66,960 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 40 - 80 | RMB2.467 |
| 100 - 180 | RMB2.405 |
| 200 + | RMB2.345 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 725-9341P
- 制造商零件编号:
- IRLML0060TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 92mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 1.25W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -16V, +16V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 2.7A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 92mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 1.25W | ||
最大栅源电压 Vgs -16V, +16V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.04mm | ||
高度 1.02mm | ||
宽度 1.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。