Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 5.3 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 725-9344P
- 制造商零件编号:
- IRLML0030TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- IRLML0030TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 27mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 1.3W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Distrelec Product Id | 304-45-309 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5.3A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 27mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.6nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 1.3W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.4 mm | ||
长度 3.04mm | ||
高度 1.02mm | ||
汽车标准 否 | ||
Distrelec Product Id 304-45-309 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，5.3A 最大连续漏极电流，1.3W 最大功率耗散 - IRLML0030TRPBF
这款 MOSFET 专为各种工业应用中的电子电路提供高效开关。其增强模式场效应晶体管配置确保了负载或系统开关任务的最佳性能。作为自动化和电子领域的关键部件，它具有多功能性和高可靠性，是工程师的基本选择。
特点和优势
• 5.3A 连续漏极电流扩展了运行能力
• 30V 最大漏极-源极电压支持严苛应用
• 27 mΩ 的低 Rds(on)最大限度地减少了运行期间的能量损失
• 与表面贴装技术兼容，可直接集成
• +150 °C 的高温额定值可在具有挑战性的环境中保持性能
• 符合 RoHS 规范，促进环保设计和制造
应用
• 用于负载管理的微控制器接口
• 适用于汽车电子开关控制
• 应用于电源电路，可有效处理电流
• 非常适合需要紧凑型电源解决方案的消费电子产品
• 应用于自动化系统，实现一致的控制操作
栅极阈值电压如何影响开关性能？
栅极阈值电压规定了激活器件所需的最小栅极到源极电压，影响器件的开关速度和运行效率。
安装过程中在热管理方面有哪些注意事项？
由于最高工作温度为 +150 °C，因此必须确保适当的散热，这对保持性能和安全性至关重要。
能否与为其他技术设计的现有电路集成？
是的，它采用行业标准引脚布局，确保与现有的各种表面贴装技术兼容。
最大栅源电压额定值有何影响？
必须遵守 ±20 V 的额定电压，以避免栅极损坏并确保在规定范围内稳定运行。
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。