Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 3.6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, IRLML0040TRPBF, HEXFET系列

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725-9347
制造商零件编号:
IRLML0040TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.6A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

HEXFET

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

56mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1.3W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

2.6nC

最大栅源电压 Vgs

16 V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

3.04mm

宽度

1.4 mm

高度

1.02mm

Distrelec Product Id

304-45-310

汽车标准

否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，3.6A 最大连续漏极电流，1.3W 最大功率耗散 - IRLML0040TRPBF


这款功率 MOSFET 专为各种电子电路的高效性和可靠性而设计。它具有低导通电阻和高性能的特点，适用于要求节能和稳健运行的应用。该组件的显著特点是能够管理巨大的电力负荷，因此与自动化和电子领域的工程师和专业人员息息相关。

特点和优势


• 56mΩ 的低 RDS（on）降低了开关损耗

• 支持增强模式，实现高效功率控制

• 最大连续漏极电流为 3.6A，可实现稳定运行

• 工作电压最高可达 40V

• 专为表面贴装技术设计，非常适合紧凑型设计

• 与 HEXFET 技术兼容，实现高性能

应用


• 理想的负载和系统开关

• 用于直流电机驱动系统

• 适用于高速开关和放大器

• 适用于表面安装 在紧凑电路中

• 用于各种电力电子电路

该设备的热阻是多少？


热阻通常为 100°C/W，确保在运行期间高效散热。

栅极阈值电压对器件性能有何影响？


栅极阈值电压范围为 1.0 V 至 2.5 V，为各种应用提供了灵活的栅极控制。

它能处理脉冲漏极电流吗？


是的，该元件可以承受超过其连续额定值的脉冲漏极电流，确保瞬态条件下的可靠性。

哪些因素会影响该元件的最大功率耗散？


功率耗散主要受环境温度和热阻影响，而环境温度和热阻会影响负载下的结温。

N 通道功率 MOSFET，40V，Infineon


Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。