Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=2.7 A, 3针, SOT-23, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 725-9353P
- 制造商零件编号:
- IRLML2030TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IRLML2030TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 100mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最大功耗 Pd | 1.3W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 2.7A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 100mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最大功耗 Pd 1.3W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.4mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.02mm | ||
长度 3.04mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，最大漏源电压 30V，最大漏源电阻 100mΩ - IRLML2030TRPBF
这款MOSFET是一款紧凑型N沟道增强型器件，专为小型表面贴装组件的低功耗开关应用而设计。它适用于需要中等电流处理和30V阻断能力的应用，可在从低温到高温环境的广泛环境温度范围内执行开关任务。
特性和优点：
• 导通电阻低至 100mΩ，可减少传导损耗和热量
• 30V 漏源电压额定值，支持中等电压开关应用
• 持续漏极电流2.7A，支持持续负载运行
• 低栅极电荷 1nC，可实现快速高效切换
• 最大功耗为 1.3W，可实现热预算
• 栅源极耐压20V，为驱动器提供输入裕量
• 30V 漏源电压额定值，支持中等电压开关应用
• 持续漏极电流2.7A，支持持续负载运行
• 低栅极电荷 1nC，可实现快速高效切换
• 最大功耗为 1.3W，可实现热预算
• 栅源极耐压20V，为驱动器提供输入裕量
应用
• 适用于电池保护和负载开关电路
• 适用于便携式设备电源管理级应用
• 用于小型 SMD 设计的 DCDC转换器
• 可用于 LED 驱动器和小型电机控制
• 适用于消费电子产品的信号级切换
• 适用于便携式设备电源管理级应用
• 用于小型 SMD 设计的 DCDC转换器
• 可用于 LED 驱动器和小型电机控制
• 适用于消费电子产品的信号级切换
它的工作温度范围是多少？
它的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在极端环境条件下使用。
它采用什么包装用于 PCB 组装？
它以SOT-23表面贴装封装形式提供，适用于紧凑的电路板布局。
该器件在开关设计中发挥什么电气作用？
它可用作低压开关晶体管，可处理开/关控制，同时凭借其特定的导通电阻来限制导通损耗。
布局规划中元件的占位面积有多小？
该器件的尺寸为 3.04 x 1.4 x 1.02mm，可在 SMD 电路板上实现紧凑的元件排布。