Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3.6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, IRLML9301TRPBF, HEXFET系列

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725-9366
制造商零件编号:
IRLML9301TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.6A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOT-23

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

64mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.3W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.8nC

最高工作温度

150°C

宽度

1.4 mm

长度

3.04mm

标准/认证

No

高度

1.02mm

汽车标准

Distrelec Product Id

304-45-320

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET,30V 最大漏极源极电压,3.6A 最大连续漏极电流 - IRLML9301TRPBF


这种 MOSFET 半导体专为各种电子应用中的高效电源管理而设计。它采用表面贴装(SOT-23)设计,易于集成到紧凑型电子电路中。该元件可在 3.6A 的最大连续漏极电流下有效工作,并能承受 30V 的最大漏极-源极电压。

特点和优势


• 增强模式配置可实现高效运行

• 栅极阈值电压范围大,可靠性更高

• 更强的热弹性

• 针对拉漏电流额定值进行了优化,提高了性能可靠性

应用


• 用于便携式小工具的电源管理

• 自动化控制系统的理想选择

• 用于音频放大器和信号处理器

• 适用于可再生能源系统中的直流-直流转换器

• 非常适合在机器人中驱动电机

低导通电阻值对性能有何影响?


64mΩ 的低导通电阻降低了运行期间的发热量,提高了整体效率,延长了大电流应用中的元件寿命。

增强模式对电路设计有何益处?


增强模式可使 MOSFET 在达到特定栅极电压之前保持关断状态,为各种电子设计提供可靠的开关控制,而不会造成不必要的功率损耗。

该组件能否承受高温?


是的,它能在高达 +150°C 的温度下可靠运行,因此适用于暴露于恶劣环境或高强度使用的应用。