Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=4.1 A, 3针, SOT-23, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 737-7221P
- 制造商零件编号:
- IRLML6246TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- IRLML6246TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 66mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 1.3W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | -12V, +12V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4.1A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 66mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 1.3W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.5nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs -12V, +12V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.04mm | ||
高度 1.02mm | ||
宽度 1.4mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，最大漏源电压 20V，最大连续漏极电流 4.1A - IRLML6246TRPBF
该MOSFET是一款紧凑型N‑沟道增强型器件，专为表面贴装组件的低压开关应用而设计。它可在宽温度范围内运行，并支持与常见控制电路兼容的栅极驱动电平。其封装和电气特性适用于空间‑受限的电路板，这些电路板需要高效开关性能，且无需高功率‑处理能力。
特性和优点：
• 最大漏源电压20V，适用于低压开关应用
• 连续漏极电流 4.1A，支持中等负载电流
• 电阻低至  66mΩ，最大限度地减少了导通损耗
• 3.5nC典型栅极电荷，可实现更快的开关转换
• 最大功耗1.3W，适合受限的热预算设计
• 栅源容差高达 12V，可实现强劲的驱动裕度
• 连续漏极电流 4.1A，支持中等负载电流
• 电阻低至  66mΩ，最大限度地减少了导通损耗
• 3.5nC典型栅极电荷，可实现更快的开关转换
• 最大功耗1.3W，适合受限的热预算设计
• 栅源容差高达 12V，可实现强劲的驱动裕度
应用
• 适用于便携式系统的电池管理切换
• 适用于配电模块的负载切换
• 与电机控制低压级的栅极驱动器配合使用
• 可用于DCDC转换器同步开关
• 适用于控制电路的信号级高速切换
• 适用于配电模块的负载切换
• 与电机控制低压级的栅极驱动器配合使用
• 可用于DCDC转换器同步开关
• 适用于控制电路的信号级高速切换
该器件在工作状态下能耐受什么样的极端温度？
其指定工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C，可在温度波动较大的环境中使用。
封装对于PCB布局和组装有何影响？
SOT  23 表面贴装封装形式，三针设计，可缩减电路板面积，并支持自动化拾放和回流焊工艺。
在较高的栅极电压下，预期的表现是怎样的？
该器件将栅‑源极额定值限制在最高12V，因此，栅极驱动应保持在此阈值内，以防止栅‑氧化层承受过应力。
该设备在持续负载条件下的表现如何？
连续漏极电流额定值为4.1A，而热耗散限制在1.3W，因此需要足够的覆铜面积或散热片来维持安全的结温。