Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 110 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, AUIRF3205Z, HEXFET系列

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737-7436
制造商零件编号:
AUIRF3205Z
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

110A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

HEXFET

包装类型

JEDEC TO-220AB

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6.5mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

170W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

76nC

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

16.51mm

宽度

4.83 mm

长度

10.67mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


汽车 N 通道功率 MOSFET,Infineon


Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管,Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。