Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 170 mA, TO-18, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 738-7597
- 制造商零件编号:
- VN10K
- 制造商:
- Semelab
不可供应
RS 不再对该产品备货。
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- 制造商:
- Semelab
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Semelab | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 170 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | TO-18 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 9 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大功率耗散 | 313 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -3 V、+15 V | |
| 长度 | 5.84mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 5.33mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Semelab | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 170 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 TO-18 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 9 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最大功率耗散 313 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -3 V、+15 V | ||
长度 5.84mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 5.33mm | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
N 沟道 MOSFET 晶体管，Semelab
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Semelab