onsemi , 2 N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 500 mA, US, 表面安装, 6引脚, FDG6303N
- RS 库存编号:
- 739-0189
- 制造商零件编号:
- FDG6303N
- 制造商:
- onsemi
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- FDG6303N
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 500mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 包装类型 | US | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 770mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| 最大功耗 Pd | 300mW | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 500mA | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
包装类型 US | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 770mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.64nC | ||
最大功耗 Pd 300mW | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 2mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
增强模式双 MOSFET， Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。