制造商编号

onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=35 A, 8针, WDFN, PowerTrench系列

RS 库存编号:: 739-4850
制造商零件编号:: FDMS86200
制造商:: onsemi

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RS 库存编号:: 739-4850
制造商零件编号:: FDMS86200
制造商:: onsemi

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	35A
	最大漏源电压 Vd	150V
	系列	PowerTrench
	包装类型	WDFN
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	34mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	33nC
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	104W
	最高工作温度	150°C
	高度	1.05mm
	宽度	6mm
	标准/认证	No
	长度	5mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 35A
	最大漏源电压 Vd 150V
	系列 PowerTrench
	包装类型 WDFN
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 34mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33nC
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 104W
	最高工作温度 150°C
	高度 1.05mm
	宽度 6mm
	标准/认证 No
	长度 5mm
	汽车标准否

PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管

Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

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