Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4.9 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 743-6059P
- 制造商零件编号:
- TSM2312CX RFG
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
不可供应
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- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4.9 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 51 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 750 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ 4.5 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4.9 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 51 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 750 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.1mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 1.7mm | ||
高度 1.2mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
N 沟道功率 MOSFET，Taiwan Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Taiwan Semiconductor