DiodesZetex N沟道增强型功率MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=7.5 A, 8针, SOIC
- RS 库存编号:
- 751-4109P
- 制造商零件编号:
- DMG4800LSD-13
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
查看批量定价选项小计 625 件 (以卷装提供)*
RMB2,157.50
(不含税)
RMB2,438.13
(含税)
有库存
- 另外 14,900 件在 2026年10月12日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 625 - 1225 | RMB3.452 |
| 1250 + | RMB3.348 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 751-4109P
- 制造商零件编号:
- DMG4800LSD-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 22mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | -25V, +25V | |
| 正向电压 Vf | 0.72V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.56nC | |
| 最大功耗 Pd | 1.5W | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 标准/认证 | UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, MIL-STD-202 | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 3.95mm | |
| 长度 | 4.95mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 7.5A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 22mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs -25V, +25V | ||
正向电压 Vf 0.72V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.56nC | ||
最大功耗 Pd 1.5W | ||
最高工作温度 +150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
标准/认证 UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, MIL-STD-202 | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 3.95mm | ||
长度 4.95mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN