DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=8.5 A, 3针, TO-252, DMN6068LK3系列

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包装方式：
RS 库存编号:
751-4200
制造商零件编号:
DMN6068LK3-13
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

8.5A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

DMN6068LK3

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

100mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.15V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10.3nC

最大功耗 Pd

8.49W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

高度

2.39mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc


MOSFET 晶体管，Diodes Inc.


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