Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=240 V, 260 mA, SOT-89, 表面安装, 3引脚, BSS87H6327FTSA1, SIPMOS系列

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RS 库存编号:
752-8249
制造商零件编号:
BSS87H6327FTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

260mA

最大漏源电压 Vd

240V

包装类型

SOT-89

系列

SIPMOS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

7.5Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

3.7nC

最大功耗 Pd

1W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

宽度

2.5 mm

标准/认证

No

长度

4.5mm

高度

1.5mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET


MOSFET 晶体管,Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。