Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=800 V, Id=11 A, 3针, TO-220FP, CoolMOS C3系列

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Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=11 A, 3针, TO-220, CoolMOS C3系列
RS 库存编号
753-3190

个

RMB16.64

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RMB18.80

(含税)

RS 库存编号:
752-8476
制造商零件编号:
SPA11N80C3XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

功率晶体管

最大连续漏极电流 Id

11A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

CoolMOS C3

包装类型

TO-220FP

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.45Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

34W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

64nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

JEDEC, RoHS

高度

9.83mm

宽度

4.85mm

长度

10.65mm

汽车标准

否

Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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