Infineon N沟道耗尽型MOS管, Vds=60 V, 230 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, SIPMOS®系列
- RS 库存编号:
- 753-2841P
- 制造商零件编号:
- BSS159NH6327XTSA2
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 475 | RMB2.199 |
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| 1250 + | RMB2.061 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 753-2841P
- 制造商零件编号:
- BSS159NH6327XTSA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 230 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 系列 | SIPMOS® | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 8 Ω | |
| 通道模式 | 耗尽 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V | |
| 最小栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最大功率耗散 | 360 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.4 nC @ 5 V | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 230 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
系列 SIPMOS® | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 8 Ω | ||
通道模式 耗尽 | ||
最大栅阈值电压 2.4V | ||
最小栅阈值电压 3.5V | ||
最大功率耗散 360 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 2.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.4 nC @ 5 V | ||
宽度 1.3mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1mm | ||
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。