Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=250 V, Id=190 mA, 3针, SOT-89, SIPMOS系列
- RS 库存编号:
- 753-2848P
- 制造商零件编号:
- BSS192PH6327FTSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- 753-2848P
- 制造商零件编号:
- BSS192PH6327FTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 190mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 包装类型 | SOT-89 | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 正向电压 Vf | -1.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 2.5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 4.5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 190mA | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
包装类型 SOT-89 | ||
系列 SIPMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 20Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.9nC | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
正向电压 Vf -1.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 2.5mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 4.5mm | ||
高度 1.5mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS系列MOSFET，250V最大漏源电压，190mA最大连续漏极电流 - BSS192PH6327FTSA1
这款MOSFET是一款P‑沟道器件，专为严苛电气环境中的表面‑贴装功率开关应用而设计。它用作增强‑型晶体管，适用于需要受控高‑压开关和低持续电流处理的应用，可在宽温度范围内工作，用于稳压系统和汽车电子领域。
特性和优点：
• 250V 漏源‑额定值可实现高压‑开关能力
• 190mA持续漏极电流支持低‑电流负载控制
• 低‑电流电路中，20Ω最大导通电阻可降低导通损耗
• 在Vgs条件下，典型栅极电荷为4.9nC，确保可预测的开关特性
• 栅‑源极限制为20V，栅极驱动设计更简便
• 1W 最大功耗可有效管理紧凑型布局中的热约束问题
• 190mA持续漏极电流支持低‑电流负载控制
• 低‑电流电路中，20Ω最大导通电阻可降低导通损耗
• 在Vgs条件下，典型栅极电荷为4.9nC，确保可预测的开关特性
• 栅‑源极限制为20V，栅极驱动设计更简便
• 1W 最大功耗可有效管理紧凑型布局中的热约束问题
应用
• 适用于汽车传感器电源路径切换
• 适用于低‑功率反极性保护电路
• 用于高‑压电池管理子系统
• 可用于控制模块的小型继电器替换
• 适用于紧凑型电路板的表面‑贴装配电
• 适用于低‑功率反极性保护电路
• 用于高‑压电池管理子系统
• 可用于控制模块的小型继电器替换
• 适用于紧凑型电路板的表面‑贴装配电
在恶劣条件下，它能耐受的温度范围是多少？
它可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内可靠运行。适用于宽温度环境。
该封装为 PCB 布局提供多少个引脚？
该元件配备三个引脚，支持标准SOT‑89封装布线。
设计人员在组装时应预期哪种封装样式？
它采用专为紧凑型电路板设计而定制的 SOT‑89‑表面贴装封装。
该器件是否符合汽车级认证标准？
它符合 AEC‑Q101 标准，满足汽车应用领域的行业应力筛选要求。