Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 53 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS™ C6系列
- RS 库存编号:
- 753-3068P
- 制造商零件编号:
- IPW60R070C6FKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 8 - 14 | RMB59.91 |
| 15 + | RMB58.11 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 753-3068P
- 制造商零件编号:
- IPW60R070C6FKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 53 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 系列 | CoolMOS™ C6 | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 70 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大功率耗散 | 391 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 170 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 21.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 53 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 CoolMOS™ C6 | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 70 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大功率耗散 391 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 5.21mm | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 16.13mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 21.1mm | ||