Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 53 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS™ C6系列

查看所有MOSFET
不可供应
RS 不再对该产品备货。
包装方式：
RS 库存编号:
753-3068P
制造商零件编号:
IPW60R070C6FKSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

53 A

最大漏源电压

650 V

封装类型

TO-247

系列

CoolMOS™ C6

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

70 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.5V

最小栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

391 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

5.21mm

典型栅极电荷@Vgs

170 nC @ 10 V

长度

16.13mm

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

高度

21.1mm

最低工作温度

-55 °C

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。