onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 79 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, FDB2532, PowerTrench系列

可享批量折扣

小计 200 件 (以卷装提供)*

¥4,400.00

(不含税)

¥4,972.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 588 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
200 - 399RMB22.00
400 +RMB21.35

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
759-8951P
制造商零件编号:
FDB2532
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

79A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

PowerTrench

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

48mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

82nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

310W

最高工作温度

175°C

长度

10.67mm

高度

4.83mm

宽度

11.33 mm

标准/认证

No

汽车标准

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


汽车 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合,包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。