onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 14 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, PowerTrench系列

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制造商零件编号:
FDD120AN15A0
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

通道类型

N

最大连续漏极电流

14 A

最大连续漏极电流 Id

14A

最大漏源电压 Vd

150V

最大漏源电压

150 V

系列

PowerTrench

封装类型

DPAK (TO-252)

包装类型

TO-252

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

282mΩ

最大漏源电阻值

282 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

65 W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

11.2nC

最低工作温度

-55 °C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

65W

最高工作温度

+175 °C

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

标准/认证

No

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

高度

2.39mm

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

11.2 nC @ 10 V

汽车标准

否

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。


PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor


Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。