onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 25 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, SupreMOS系列

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RS 库存编号:
759-9443P
制造商零件编号:
FCH25N60N
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

25 A

最大漏源电压

600 V

封装类型

TO-247

系列

SupreMOS

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

126 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

216 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

晶体管材料

Si

宽度

4.82mm

典型栅极电荷@Vgs

57 nC @ 10 V

最高工作温度

+150 °C

长度

15.87mm

每片芯片元件数目

1

高度

20.82mm

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
CN

SupreMOS® MOSFET，Fairchild Semiconductor


Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。
与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。
这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。