Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 4.3 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列

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760-4438P
制造商零件编号:
IRLML2244TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

4.3A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SOT-23

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

95mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.9nC

最大栅源电压 Vgs

12 V

正向电压 Vf

-1.2V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1.3W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

1.4 mm

高度

1.02mm

长度

3.04mm

汽车标准

Distrelec Product Id

304-45-314

Infineon HEXFET 系列 MOSFET,4.3A 最大连续漏极电流,20V 最大漏极源电压 - IRLML2244TRPBF


这款 MOSFET 采用紧凑型 SOT-23 封装,性能稳定。它的最大连续漏极电流为 4.3A,漏极-源极电压为 20V,适用于自动化、电子和电气行业的各种应用。该器件采用增强模式运行,在高温环境下性能可靠,可在高达 +150°C 的温度下保持功能。

特点和优势


• 54mΩ 的低 RDS(on),将开关损耗降至最低

• 与行业标准引脚兼容,便于集成

• 可靠性高,最大功率耗散为 1.3W

• 温度范围窄,可实现最佳运行效率

• 减少栅极电荷,提高整体效率

应用


• 电子设备低压开关的理想选择

• 适用于直流-直流转换器的电源管理

• 用于自动化设备的电机控制系统

• 用于电源电路,加强能源管理

该组件的 RDS(on) 值低有什么意义?


低 RDS(on)大大降低了工作期间的功率损耗,从而提高了效率和性能,尤其是在开关应用中。

工作温度范围对电路设计有何益处?


工作温度范围为 -55°C 至 +150°C ,使 MOSFET 能够在从极冷到高热的各种工作环境中可靠地工作,从而实现了应用的多样性。

该设备为何适合表面贴装技术?


紧凑的 SOT-23 封装设计和兼容的引脚布局便于集成到 PCB 布局中,提高了制造效率并实现了批量生产。

这种 MOSFET 能否用于汽车应用?


是的,由于在高温下具有高热阻和高可靠性,它适用于对散热要求极高的汽车应用。