STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 MDmesh, SuperMESH系列, Vds=520 V, 4.4 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚

品牌

STMicroelectronics

通道类型

N

最大连续漏极电流

4.4 A

最大漏源电压

520 V

封装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

1.5 Ω

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4.5V

最小栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

70 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

长度

10.4mm

典型栅极电荷@Vgs

16.9 nC @ 10 V

宽度

4.6mm

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

最低工作温度

-55 °C

高度

15.75mm

系列

MDmesh, SuperMESH