STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 STripFET II系列, Vds=55 V, 80 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚

品牌

STMicroelectronics

通道类型

N

最大连续漏极电流

80 A

最大漏源电压

55 V

封装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

8 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

300 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

112 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+175 °C

宽度

4.6mm

长度

10.4mm

高度

15.75mm

最低工作温度

-55 °C

系列

STripFET II