STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 8.6 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP10NK70ZFP, MDmesh, SuperMESH系列
- RS 库存编号:
- 760-9960
- 制造商零件编号:
- STP10NK70ZFP
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥154.25
(不含税)
¥174.30
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | RMB30.85 | RMB154.25 |
| 15 - 20 | RMB29.926 | RMB149.63 |
| 25 + | RMB29.026 | RMB145.13 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-9960
- 制造商零件编号:
- STP10NK70ZFP
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | MDmesh, SuperMESH | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 850mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 64nC | |
| 最大功耗 Pd | 35W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 16.4mm | |
| 宽度 | 4.6 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8.6A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 MDmesh, SuperMESH | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 850mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 64nC | ||
最大功耗 Pd 35W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.4mm | ||
高度 16.4mm | ||
宽度 4.6 mm | ||
汽车标准 否 | ||