STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 80 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STripFET II系列
- RS 库存编号:
- 761-0159P
- 制造商零件编号:
- STP60NF10
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计 15 件 (按管提供)*
¥267.24
(不含税)
¥301.98
(含税)
有库存
- 770 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 15 - 20 | RMB17.816 |
| 25 + | RMB17.282 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-0159P
- 制造商零件编号:
- STP60NF10
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | STripFET II | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 23 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 300 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 104 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 STripFET II | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 23 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 300 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
长度 10.4mm | ||
宽度 4.6mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 104 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 15.75mm | ||
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics