STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=55 A, 3针, TO-263, STripFET II系列

查看所有MOSFET

小计（1 包，共 5 件）*

RMB73.24

(不含税)

RMB82.76

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 15 件将从其他地点发货
  • 另外 440 件在 2026年9月30日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
5 +RMB14.648RMB73.24

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
761-0405
制造商零件编号:
STB55NF06LT4
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

55A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

STripFET II

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

20mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-16, +16V

正向电压 Vf

1.6V

最大功耗 Pd

95W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

27nC

最高工作温度

175°C

长度

10.75mm

宽度

10.4mm

标准/认证

No

高度

4.6mm

汽车标准

否

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


相关链接