STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 11 A, TO-220FP, 通孔安装, 3引脚, STF13NM60N, MDmesh系列
- RS 库存编号:
- 761-2751
- 制造商零件编号:
- STF13NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- STF13NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-220FP | |
| 系列 | MDmesh | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 360mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 25W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±25 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 16.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.6 mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 11A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-220FP | ||
系列 MDmesh | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 360mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 25W | ||
最大栅源电压 Vgs ±25 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 16.4mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.6 mm | ||
长度 10.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
采用 TO-220FP 封装，N 沟道 600 V 280 mOhm（典型值），11 A MDmesh II 功率 MOSFET
这些器件是采用第二代 MDmesh 工艺开发的 N 沟道功率 MOSFET。这些革命性的功率 MOSFET 将垂直结构与公司的条带布局关联起来，提供全球最低的导通电阻和栅极电荷。因此，它们适用于要求最为苛刻的高效转换器。