onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=50 V, 30 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, BUZ11-NR4941, BUZ11系列
- RS 库存编号:
- 761-3515
- 制造商零件编号:
- BUZ11-NR4941
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥19.62
(不含税)
¥22.17
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB3.924 | RMB19.62 |
| 10 - 15 | RMB3.806 | RMB19.03 |
| 20 - 35 | RMB3.692 | RMB18.46 |
| 40 + | RMB3.618 | RMB18.09 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-3515
- 制造商零件编号:
- BUZ11-NR4941
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 50V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | BUZ11 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 40mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 75W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 4.83 mm | |
| 高度 | 16.51mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 50V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 BUZ11 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 40mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 75W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 4.83 mm | ||
高度 16.51mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。