Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 30 A, HWSON, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 761-6958P
- 制造商零件编号:
- RJK03E0DNS-00#J5
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 98 | RMB5.98 |
| 100 - 198 | RMB5.80 |
| 200 + | RMB5.625 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-6958P
- 制造商零件编号:
- RJK03E0DNS-00#J5
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 30 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | HWSON | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 7.8 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大功率耗散 | 20 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15.2 nC @ 4.5 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 30 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 HWSON | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 7.8 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最大功率耗散 20 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 3.3mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 15.2 nC @ 4.5 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3.3mm | ||
高度 0.8mm | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
N 通道低电压 MOSFET，高达 140V，Renesas Electronics
MOSFET 晶体管，Renesas Electronics (NEC)