Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 23 A, LFPAK, 贴片安装, 5引脚
- RS 库存编号:
- 761-6983P
- 制造商零件编号:
- RJK1055DPB-00#J5
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 98 | RMB9.845 |
| 100 - 198 | RMB9.55 |
| 200 + | RMB9.265 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-6983P
- 制造商零件编号:
- RJK1055DPB-00#J5
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 23 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻值 | 17 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大功率耗散 | 60 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 3.95mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 23 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 LFPAK | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻值 17 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大功率耗散 60 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 4.9mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 3.95mm | ||
高度 1.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
N 沟道高压 MOSFET 150V 及以上、 Renesas Electronics
MOSFET 晶体管，Renesas Electronics (NEC)