Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 29 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, E Series系列
- RS 库存编号:
- 768-9310P
- 制造商零件编号:
- SIHB30N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计 13 件 (按管提供)*
¥518.18
(不含税)
¥585.52
(含税)
有库存
- 另外 689 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 13 - 24 | RMB39.86 |
| 25 + | RMB38.65 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 768-9310P
- 制造商零件编号:
- SIHB30N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 29 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 系列 | E Series | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 125 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 250 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 85 nC @ 10 V | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 29 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
系列 E Series | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 125 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 250 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 9.65mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V | ||
长度 10.67mm | ||
高度 4.83mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor
Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。
特点
低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低输入电容 (Ciss)
低接通电阻（RDS（接通））
超低栅极电荷 (Qg)
快速切换
减少切换和传导损耗
低输入电容 (Ciss)
低接通电阻（RDS（接通））
超低栅极电荷 (Qg)
快速切换
减少切换和传导损耗
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor