DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 9.8 A, POWERDI3333, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 770-5263
- 制造商零件编号:
- DMG7401SFG-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB2.674 | RMB26.74 |
| 50 - 490 | RMB2.089 | RMB20.89 |
| 500 - 990 | RMB1.873 | RMB18.73 |
| 1000 - 1990 | RMB1.63 | RMB16.30 |
| 2000 + | RMB1.495 | RMB14.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 770-5263
- 制造商零件编号:
- DMG7401SFG-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 9.8 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | POWERDI3333 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 25 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 2.2 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3.35mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 41 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 3.35mm | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 9.8 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 POWERDI3333 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 25 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 2.2 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3.35mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 3.35mm | ||
高度 0.85mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc
MOSFET 晶体管，Diodes Inc.