DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 6 A, U-DFN2020, 贴片安装, 6引脚

品牌

DiodesZetex

通道类型

P

最大连续漏极电流

6 A

最大漏源电压

40 V

封装类型

U-DFN2020

安装类型

贴片

引脚数目

6

最大漏源电阻值

50 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.2V

最大功率耗散

2.1 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

宽度

2.05mm

每片芯片元件数目

1

长度

2.05mm

典型栅极电荷@Vgs

23.2 nC @ 10 V

高度

0.58mm

最低工作温度

-55 °C