Renesas Electronics P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 4 A, SC-62, 贴片安装, 4引脚
- RS 库存编号:
- 772-5210
- 制造商零件编号:
- 2SJ518AZTR-E
- 制造商:
- Renesas Electronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 15 件）*
¥56.82
(不含税)
¥64.20
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | RMB3.788 | RMB56.82 |
| 30 - 135 | RMB3.45 | RMB51.75 |
| 150 - 285 | RMB3.169 | RMB47.54 |
| 300 - 585 | RMB2.989 | RMB44.84 |
| 600 + | RMB2.924 | RMB43.86 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 772-5210
- 制造商零件编号:
- 2SJ518AZTR-E
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SC-62 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 630 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 1 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 2.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 4.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SC-62 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 630 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 1 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 2.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 4.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.5mm | ||
P 沟道 MOSFET 、 Renesas Electronics （ NEC ）
MOSFET 晶体管，Renesas Electronics (NEC)