Renesas Electronics P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 6 A, SOT-346T (SC-96), 贴片安装, 3引脚

品牌

Renesas Electronics

通道类型

P

最大连续漏极电流

6 A

最大漏源电压

60 V

封装类型

SOT-346T (SC-96)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

550 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

1.25 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

1.5mm

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

8.2 nC @ 10 V

长度

2.9mm

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

高度

1mm