Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=250 V, 120 A, SC-65, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 772-5311
- 制造商零件编号:
- 2SK1671-E
- 制造商:
- Renesas Electronics
不可供应
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- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 120 A | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 封装类型 | SC-65 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 95 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 15.6mm | |
| 宽度 | 4.8mm | |
| 高度 | 19.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 120 A | ||
最大漏源电压 250 V | ||
封装类型 SC-65 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 95 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 125 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 15.6mm | ||
宽度 4.8mm | ||
高度 19.9mm | ||
N 沟道高压 MOSFET 150V 及以上、 Renesas Electronics
MOSFET 晶体管，Renesas Electronics (NEC)