Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=50 V, 200 mA, SC-59, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 772-5349
- 制造商零件编号:
- 2SK2158-T1B-A
- 制造商:
- Renesas Electronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 100 件）*
¥28.60
(不含税)
¥32.30
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 300 | RMB0.286 | RMB28.60 |
| 400 - 1900 | RMB0.28 | RMB28.00 |
| 2000 - 4900 | RMB0.274 | RMB27.40 |
| 5000 - 59900 | RMB0.268 | RMB26.80 |
| 60000 + | RMB0.268 | RMB26.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 772-5349
- 制造商零件编号:
- 2SK2158-T1B-A
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA | |
| 最大漏源电压 | 50 V | |
| 封装类型 | SC-59 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 50 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.1V | |
| 最大功率耗散 | 200 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -7 V、+7 V | |
| 宽度 | 1.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 200 mA | ||
最大漏源电压 50 V | ||
封装类型 SC-59 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 50 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.1V | ||
最大功率耗散 200 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -7 V、+7 V | ||
宽度 1.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 2.9mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.3mm | ||
N 通道低电压 MOSFET，高达 140V，Renesas Electronics
MOSFET 晶体管，Renesas Electronics (NEC)