Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 50 A, IPAK (TO-251), 通孔安装, 4引脚
- RS 库存编号:
- 772-5412
- 制造商零件编号:
- 2SK3377-AZ
- 制造商:
- Renesas Electronics
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 772-5412
- 制造商零件编号:
- 2SK3377-AZ
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 78 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大功率耗散 | 30 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 7mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 50 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 IPAK (TO-251) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 78 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最大功率耗散 30 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 7mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V | ||
高度 2.3mm | ||
N 通道低电压 MOSFET，高达 140V，Renesas Electronics
MOSFET 晶体管，Renesas Electronics (NEC)