Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 300 A, TO-3P, 通孔安装, 3引脚

品牌

Renesas Electronics

通道类型

N

最大连续漏极电流

300 A

最大漏源电压

60 V

封装类型

TO-3P

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

8.8 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

150 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

长度

15.7mm

典型栅极电荷@Vgs

170 nC @ 10 V

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

宽度

4.7mm

晶体管材料

Si

高度

20mm