onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=50 A, 3针, TO-252, PowerTrench系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 5 件）*

RMB68.83

(不含税)

RMB77.78

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 2,500 件在 2026年10月05日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
5 - 620RMB13.766RMB68.83
625 - 1245RMB13.352RMB66.76
1250 +RMB12.956RMB64.78

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
772-9133
制造商零件编号:
FDD86540
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

50A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-252

系列

PowerTrench

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

5.2mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

65nC

最大功耗 Pd

127W

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

高度

2.39mm

标准/认证

No

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

汽车标准

否

PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor


Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

相关链接