onsemi N沟道增强型MOS管 SuperFET II系列, Vds=600 V, 7.4 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 774-1146
- 制造商零件编号:
- FCD600N60Z
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 7.4 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 600 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大功率耗散 | 89 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | +30 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 系列 | SuperFET II | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 7.4 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 600 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大功率耗散 89 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 +30 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 6.22mm | ||
系列 SuperFET II | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 2.39mm | ||
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。
利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。
利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。
客制化产品，不可取消或退货，遵循RS销售条款。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。