Infineon N沟道增强型MOS管 StrongIRFET系列, Vds=40 V, 100 A, PQFN封装, 表面贴装, 8引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
776-9157
制造商零件编号:
IRFH7004TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

100 A

最大漏源电压

40 V

封装类型

PQFN

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

1.4 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.9V

最小栅阈值电压

2.2V

最大功率耗散

156 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

5mm

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

194 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

长度

6mm

最低工作温度

-55 °C

系列

StrongIRFET

高度

0.85mm

StrongIRFET™ 功率 MOSFET，Infineon


Infineon 的 StrongIRFE 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。