onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=340 mA, 3针, SC-70, 2N7002W系列
- RS 库存编号:
- 780-0472P
- 制造商零件编号:
- 2N7002WT1G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
查看批量定价选项小计 800 件 (以卷装提供)*
RMB380.80
(不含税)
RMB430.40
(含税)
有库存
- 另外 5,000 件在 2026年10月12日 发货
- 另外 3,000 件在 2027年9月29日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 800 - 1400 | RMB0.476 |
| 1500 + | RMB0.462 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-0472P
- 制造商零件编号:
- 2N7002WT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 340mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SC-70 | |
| 系列 | 2N7002W | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 880mV | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最大功耗 Pd | 330mW | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 900μm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 340mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SC-70 | ||
系列 2N7002W | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.7nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 880mV | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最大功耗 Pd 330mW | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 900μm | ||
长度 2.2mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.35mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||