onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 380 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 780-0478
- 制造商零件编号:
- 2N7002KT1G
- 制造商:
- onsemi
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-0478
- 制造商零件编号:
- 2N7002KT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 380 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.5 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V | |
| 最大功率耗散 | 420 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 380 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 2.5 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.3V | ||
最大功率耗散 420 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 1.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3.04mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.7 nC @ 4.5 V | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 1.01mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor
2N7002K 是一个小信号 MOSFET 。此 MOSFET 是单个 N 通道,表面安装封装具有 ESD 保护功能。该 MOSFET 能提高系统效率,并在便携式应用中发挥巨大作用。
特点和优势:
• ESD 保护
• N 信道
•低 RDS
•无铅和无卤素
•排空至电源 -60 V
•提高系统效率
• N 信道
•低 RDS
•无铅和无卤素
•排空至电源 -60 V
•提高系统效率
应用:
•直流 - 直流转换器
•电平换档电路
•低侧负载开关
•便携式应用,如电话, PDA , DSC ,笔记本电脑和平板电脑。
•电平换档电路
•低侧负载开关
•便携式应用,如电话, PDA , DSC ,笔记本电脑和平板电脑。
该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
