onsemi P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=760 mA, 3针, SC-89

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包装方式：
RS 库存编号:
780-0554
制造商零件编号:
NTE4151PT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

760mA

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SC-89

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

2.1nC

最大栅源电压 Vgs

6V

最大功耗 Pd

310mW

正向电压 Vf

-1.1V

最高工作温度

150°C

长度

1.7mm

宽度

0.95mm

标准/认证

No

高度

0.8mm

汽车标准

否

P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor


MOSFET 晶体管，ON Semiconductor


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