onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 760 mA, SC-89, 表面安装, 3引脚, NTE4151PT1G
- RS 库存编号:
- 780-0554P
- 制造商零件编号:
- NTE4151PT1G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计 750 件 (以卷装提供)*
¥565.50
(不含税)
¥639.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年7月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1450 | RMB0.754 |
| 1500 + | RMB0.731 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-0554P
- 制造商零件编号:
- NTE4151PT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 760mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | SC-89 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| 正向电压 Vf | -1.1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 6 V | |
| 最大功耗 Pd | 310mW | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 0.95 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 760mA | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 SC-89 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.1nC | ||
正向电压 Vf -1.1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 6 V | ||
最大功耗 Pd 310mW | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 1.7mm | ||
高度 0.8mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 0.95 mm | ||
汽车标准 否 | ||