onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 6.7 A, ChipFET, 表面安装, 8引脚, NTHS4101PT1G, NTK系列
- RS 库存编号:
- 780-0595
- 制造商零件编号:
- NTHS4101PT1G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥35.48
(不含税)
¥40.09
(含税)
暂时缺货
- 2,950 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | RMB3.548 | RMB35.48 |
| 750 - 1490 | RMB3.477 | RMB34.77 |
| 1500 + | RMB3.407 | RMB34.07 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-0595
- 制造商零件编号:
- NTHS4101PT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | NTK | |
| 包装类型 | ChipFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 52mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25nC | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.7 mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6.7A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 NTK | ||
包装类型 ChipFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 52mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.7 mm | ||
高度 1.1mm | ||
长度 3.1mm | ||
汽车标准 否 | ||