onsemi P型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=880 mA, 6针, US
- RS 库存编号:
- 780-0611P
- 制造商零件编号:
- NTJD4152PT1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-0611P
- 制造商零件编号:
- NTJD4152PT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 880mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | US | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.2nC | |
| 最大功耗 Pd | 350mW | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | -12V, +12V | |
| 正向电压 Vf | -0.8V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 880mA | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 US | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 1Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.2nC | ||
最大功耗 Pd 350mW | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs -12V, +12V | ||
正向电压 Vf -0.8V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
长度 2.2mm | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.35mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||