onsemi N沟道增强型功率 MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=60 V, Id=300 mA, 6针, SC-88

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包装方式：
RS 库存编号:
780-0627
制造商零件编号:
NTJD5121NT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

功率MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

300mA

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SC-88

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

2.5Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.9nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

266mW

正向电压 Vf

0.8V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

+150°C

晶体管配置

隔离式

高度

1mm

宽度

1.35mm

标准/认证

No

长度

2.2mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

双 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor


MOSFET 晶体管，ON Semiconductor


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